Samsung inicia a produción en masa de chips DDR4 de 10 nanómetros

Samsung Electronics anunciou o inicio da produción en masa de chips de memoria DRAM DDR4 de 8 gigabits en tecnoloxía de 10 nanómetros, de xeito que serían as primeiras memorias deste tipo no mercado, que confían en que acelere a adopción de unidades de memoria DDR4.
Con estas novas unidades Samsung volve facer historia, abrindo a porta dos 10 nanómetros nas memorias DRAM, na liña do que xa fixera en 2014 ao producir en masa as primeiras memorias DRAM de 20 nanómetros de 4 gigabits.
As novas unidades DRAM de 10 nanómetros permiten transferencias de datos a 3.200 Mbps, o que supón un incremento do 30% fronte aos 2.400 Mbps das unidades DDR4 de 20 nanómetros, á vez que consumen entre un 10 e un 20% menos de enerxía, polo que a adopción das novas unidades de memoria benefician aos sistemas tanto en velocidades como en eficiencia enerxética.
Ao longo do ano Samsung ten previsto levar esta tecnoloxía a memorias para smartphones e ordenadores persoais, de xeito que porán á venda memoria DDR4 de 10 nanómetros con capacidades de dende 4 GB (para ordenadores portátiles) até 128 GB (para servidores corporativos).